中国电业期刊网ROHM推出超高速驱动控制IC技术显著提升GaN器件性能

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。

通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我将继续以其擅长模拟技术为中心，以追求易用性的原则积极开发解决社会问题的一流产品。我认为，在推进新材料如GaN普及过程中，不仅要考虑到材料本身，还需要有一个强大的支持系统。这包括晶圆制造商、元器件制造商以及集成电路设计师之间紧密合作，以及国家层面的政策支持和资金投入。

对于如何真正发挥功率半导体设备潜力，我认为我们需要跨越多个领域：从晶圆制造到元器件设计，再到集成电路封装，每一步都要求精益求精。我相信，只有当整个产业链上每个人都共同努力时，我们才能真正实现高效能源使用，并向着一个更加可持续发展的地球迈进。