2025-03-24 新品 0
我将GaN器件与控制IC相结合,助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM(总部位于日本京都市)确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下,ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”,成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns,这一成就达到业界超高水平。
通过将该技术应用在控制IC中,又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前,ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作,并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合,将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来,我将继续以其擅长模拟技术为中心,以追求易用性为目标,不断开发解决社会问题的一流产品。我认为,在推进新能源汽车产业发展过程中,我们需要有效率、高效能且环保可靠性的电源系统。这对于实现绿色能源革命而言,是非常关键的一步。此外,对于促进新能源汽车行业快速增长,也是非常重要的一个方面,因为它能够帮助我们减少对传统燃料依赖,从而降低温室气体排放并保护环境。
总之,由于市场需求不断增长,以及对高效能、高安全性的要求日益严格,所以我相信这个趋势必将持续下去。而作为一个市场领导者,我们必须不断创新,以满足这些需求,并保持竞争力的领先地位。
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