ROHM推出高性能电源GaN器件驱动控制IC技术极大提升物品超高速应用能力

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。

通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。这项创新对基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出了贡献。

未来，我将继续以模拟技术为中心，以易用性为追求，不断开发解决社会问题的产品。我相信，与ROHM合作，将能够促进GaN器件在各种场景中的普及，为实现无碳社会贡献力量。