2025-03-24 新品 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来，我公司将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用易用性，并积极开发解决社会问题所需产品。我认为，从晶圆、元器件、控制IC到模块，我们需要有机结合这些多种技术，以促进功率半导体材料如GaN的大规模使用。在这方面，我国包括我们在内的一些企业都非常有影响力。
为了实现电源电路的小型化，我们需要通过高频开关减小外围元器件尺寸。这就要求我们能够充分激发出如GaN这样的高速开关器件驱动性能。此次，我们为了包含外围元器件的一套完整解决方案，不仅确定了适合于这些快速开关设备的一个名为“Nano Pulse Control”的新型控制策略，而且还融入了我们的模拟电源设计中——这一点是我们自豪之处。而且，该策略使得只需要一枚简单的小巧芯片即可完成从60伏特降至0.6伏特这样一个巨大的压缩过程，这对于48伏特和24伏特类别最为关键。
这个策略特别适用于与这种新的GaAs或其他类型快开关电子管搭配使用，它们可以进行纳秒级别迅速打开关闭操作，从而帮助缩减装配到任何系统中的所有周边零部件尺寸，同时也意味着设计人员不再必须经常调整复杂组合的事务，而且数量也减少了86%比那些没有采纳此方法的情况下的相同类型系统。这是对标准产品有效利用奈米级时间周期，使得以前看似不可能的事情成为了现实：直接、高效且紧凑性的低压输出转换功能，为许多不同的行业带来了真正意义上的创新选择。
