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ROHM推出新技术超高速驱动控制IC极大提升GaN器件在高频开关电源中的性能应用能力

2025-03-24 智能输送方案 0

我将GaN器件与控制IC相结合,助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。我近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,我如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下,我ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”,成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns,在业界实现了极高水平。

通过将该技术应用在控制IC中,又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。我目前正在推动应用该技术的产品转化工作,计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合,将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来,我ROHM将继续以模拟技术为中心,以易用性为追求,不断开发解决社会课题的产品。我相信,只有我们全体合作,无论是晶圆、元器件、控

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