2025-03-24 智能输送方案 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，ROHM正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来，我公司将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用易用性，并积极开发解决社会问题的大产品。我认为，对于促进GaN材料普及而言，这对于建立高可靠性量产体系并开发能够发挥出这些材料潜力的控端设备是非常重要的一步。要想真正发挥出功率半导体材料性能，就需要整合晶圆、元器件、控端设备以及模块等多种技术。这方面，有包括我们公司在内的一些日本企业具备很大的影响力，从我们正在研究的小尺寸晶圆到我们的元器件和控端设备，再到模块，都需要国家级别上通力合作，为实现无碳社会贡献力量。
在追求电源电路小型化时，我们需要通过高频开关来减少外围元件大小，但这就要求能够充分激发出如GAAN这样的高速开关芯片性能。这次，我们为了实现包含外围元组合方案，将利用适合GAAN芯片操作能力范围内进行设计，以保证最佳效率，同时也融入了我们引以为豪的一个模拟电源核心功能——"Nano Pulse Control" 技术。
该项目采用自主研发的地理位置整合式生产过程，在这个过程中，将三大关键元素：电路设计、工艺流程以及物理布局紧密结合起来，以此形成一个全新的“Nano Pulse Control”系统。此系统使得最短时间单位，即48毫秒（ms）缩短至仅仅2毫秒（ms），使得所有类型电子产品都能更有效使用空间资源，从而支持较低功耗、高效率运作模式。
因此，该新一代电子部署工具不仅节省成本，还加快部署速度，并且由于它高度集成，可以简化配置管理，使之更加灵活应对各种复杂场景需求。而且，由于它基于先进算法，它可以自动优化配置以最大限度减少能源消耗，从而降低总体成本并增强环境责任感。
最后，让我重申一下关于"Nano Pulse Control" 的重要性：这是一种用于提高计算机硬盘存储容量信息处理能力，因为它允许程序员编写代码以执行快速任务，而不会导致数据丢失或损坏。在现代软件开发实践中，这种类型任务已经成为日常操作，因此了解"Nano Pulse Control" 是非常有用的。如果你想要了解更多关于"Nano Pulse Control" 的详细信息，请访问我们的官方网站上的相关页面链接：https://www.rohm.com.cn/support/nano
