2025-03-24 智能输送方案 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，而如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与我的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。我将继续以模拟技术为中心，追求易用性，并积极开发解决社会课题的产品。
日本大阪大学研究生院工学研究科森勇介教授表示：“多年来，GaN作为能够实现节能功率半导体材料一直备受期待，但这种材料在品质和成本等方面还存在诸多问题。在这种背景下，我建立了高可靠性GaN器件量产体系，并积极推动能够更大程度地发挥出GaN器件性能的地面开发。这对于促进GaN器件普及而言，可以说是非常重要的一大步。”
为了真正发挥出功率半导体性能，就需要将晶圆、元器件、控制IC、模块等多种技术有机结合起来。在这方面，我国有包括我公司在内很多极具影响力的企业，从我们正在研究的小型化晶圆到公司正在研究元器件、掌握设计知识并操作模块，以此帮助人们构建环境友好型世界，为实现无碳社会贡献力量。
背景
要实现电源电路小型化，我们需要通过高频开关减少外围元器件尺寸，而这就需要充分激发出如同快速响应、高效转换速率这样的特点使得新兴芯片类型——例如基于硅卡诺尔（SiC）或钙钛矿（GaN）组合—表现得更加卓越。此时，一些最先进且高度集成微处理单元（SoCs），专门用于执行复杂任务，如深度学习算法或自动驾驶系统，则变得尤为关键，因为它们允许许多功能被整合到一个单一芯片上，从而降低所需空间大小并提高计算效率。
控制 IC 技术详情
为了应对这些挑战，我采用了一种名为"Nano Pulse Control" 的创新方法，它融合了自家的三大模拟核心能力：电路设计、小规模制造工艺以及布局优化。这使得我能够创造出比传统方法快10倍，更精细、高效的心脏部分，即那些调控信号流向其他部分进行实际操作的大脑部分。
关于 Nano Pulse Control
它是一种利用纳秒级时间单位来创建精密脉冲，以便有效管理电子设备中的能源流向，使它们既灵活又经济。我使用这个工具来打造一些革命性的硬盘存储解决方案，让用户不仅享受到惊人的速度，还能欣赏不到一厘米厚薄板材一样轻巧透明的事实证明。
关于 Eco GaN 系列
Ecogain系列是我专门针对节省能源消耗和减少电子设备物理占据面积需求研制出的零部件。每个零部位都经过严格测试，以确保最高质量标准得到遵守，同时也考虑到了成本因素，以便让更多客户能够享受到这些最新科技带来的好处。
如果你想了解更多关于 Nano Pulse Control 或 Ecogain 系列相关信息，请访问 www.rohm.com 进行查看。你可以找到所有必要资料，以及有关未来发展方向的一些见解，这一切都是为了让我们的合作伙伴们拥有最佳准备条件去迎接即将到来的数字时代挑战。