ROHM推出新技术提升GaN器件性能的超高速驱动控制IC电力期刊排名榜上引人瞩目成为物联网领域热门选

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就业界瞩目。

通过将该技术应用于控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。目前，我正在推动应用该技术的产品转化工作，并计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC样品。通过将其与ROHM新开发的一系列高效节能“EcoGaN”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我将继续以模拟技术为核心，为社会问题提供解决方案，同时积极开发能够最大限度发挥出各类电子元器件潜力的产品。我相信，只有这样，我们才能真正实现无碳社会目标。我期待着与国内外合作伙伴一起，不断创新，为地球上每个角落带去绿色能源革命。