2025-03-24 智能输送方案 0
作为一名电源工程师，我深知GaN器件与控制IC的结合对节能和小型化有着不可估量的重要性。ROHM公司，总部位于日本京都市，最近推出了超高速驱动控制IC技术，这项技术能够更大程度地激发GaN等高速开关器件的性能。
在过去的一年里，GaN器件因其快速开关特性而受到广泛欢迎，但提高控制IC速度成为行业亟待解决的问题。在这种背景下，ROHM进一步改进了他们在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功将控制脉冲宽度从9ns提升至2ns，从而达到业界最高水平。通过将该技术应用于控制IC中，ROHM成功建立了一种可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，ROHM正在推动应用该技术的新一代产品，并计划在2023年下半年提供100V输入单通道DC-DC转换样品。当这款产品与ROHM“EcoGaN系列”等GaN器件相结合时，将为基站、数据中心、FA设备和无人机等多个领域实现显著节能和小型化。
森勇介教授、日本大阪大学研究生院工学研究科表示：“尽管多年来我们一直期待使用高效率功率半导体材料如GaN，但由于质量和成本问题，它们尚未得到普及。因此，我们非常看好ROHM建立了高可靠性生产系统并开发了能够最大限度发挥出GaN性能的控制IC。这对于促进这一材料的大规模采用是非常关键。”
为了实现电源电路的小型化，我们需要通过高频开关减少外围元件尺寸，这就需要一个可以充分激活GaN等高速开关器件驱动能力的控
