ROHM推出新技术提升GaN器件性能的超高速驱动控制IC为电源厂家排行榜增添竞争力

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，这项技术可以更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。我了解到，近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，但如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

未来，我将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用的易用性，积极开发解决社会课题的产品。我相信，该项新技术对于促进GaN器件普及是非常重要的一大步，并且需要整个国家通力合作，为实现无碳社会贡献力量。

此外，该项新技術还融入了ROHM引以为豪的一項模拟電源技術之一“Nano Pulse Control”技術。这種技術採用了在ROHM垂直統合型生產體系下融合電路設計、工藝和布局三大模拟技術而實現，並通過自有電路結構將最小開關脈衝寬度從之前9ns提升至2ns，這使得以48V和24V應用為主的大多數應用，只需一枚電源晶片即可完成從高壓到低壓降壓轉換工作（從最高60V到0.6V）。該技術對於與GaN晶片結合使用尤為適宜，並且有助於減少外圍元件尺寸，因此對于采用该技术的人们来说，他们安装面积比使用传统产品时可以减少86%。