ROHM推出新技术超高速驱动控制IC极大提升GaN器件性能适用于可编程直流电源的物品应用

我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉宽度从以往的9ns提升至2ns，这一成就达到业界超高水平。

通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。这项创新对基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出了贡献。

未来，我将继续以模拟技术为中心，以易用性为追求，不断开发解决社会问题的产品。我相信，与其他专家合作，将晶圆、元器件、控制IC及模块有机结合起来，我们可以真正发挥出功率半导体材料潜力，为实现无碳社会贡献力量。

为了包含外围元器件的小型化解决方案，我确立了一种非常适合GaN器件的超高速驱动控制IC技术，该技术融入了引以为豪的一种名为“Nano Pulse Control”的模拟电源技术。此前，该最小控制脉宽由9ns提升至2ns，使得仅需1枚电源IC即可完成从60V到0.6V降压转换工作，对于DC-DC IC（正在开发中）与EcoGaN系列电源电路进行比较时，可减少86%安装面积。

此外，我还了解到EcoGaN是通过优化低导通阻抗和快速切换性能来帮助产品进一步节能和缩小尺寸的一种ROHM GaN电子组分，该系列产品有助于降低功耗、小型化外围元件以及减少设计时间及元件数量等。