2025-03-24 智能仪表资讯 0
我将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化。ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。
近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，我进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。
目前，我正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC的样品。通过将其与ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。
未来，我将继续以其擅长的模拟技术为中心，追求应用易用性，并积极开发解决社会问题产品。我相信，这项新兴科技不仅能够帮助我们实现更加高效率、高频率、高稳定性的电子设备，而且还能够促进绿色环保能源革命，为我们的生活带来更多便利。
日本大阪大学 研究生院工学研究科 森 勇介 教授表示：“多年来，我们一直期待着一种能够实现节能功率半导体材料，如今看来，这种材料终于有望走向成熟阶段。在这种背景下，我对ROHM建立了高可靠性GaN器件量产体系并积极推动发展出能够最大限度发挥出这些材料性能的手段感到非常欣慰。这对于促进这些新兴材料普及来说，是非常重要的一步。”
要想真正发挥出功率半导体之类物品中的潜力，就需要整合晶圆制造、元器件设计、系统集成以及模块生产等多个方面。我认为，从我们正在研究的小规模晶圆到ROHM研制的小型元组合包，以及他们开发的大规模集成电路芯片，都需要国家层面的共同努力，以此为无碳社会贡献力量。
